MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机
2023-04-19 17:45
半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元，几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器 （MRAM） 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背
2018-05-29 15:42
新兴存储器(emerging memory)现在多指的是新的非挥发性存储器，最主要包括相变半导体(Phase Change Memory；PCM)、可变电阻式存储器(Resistive RAM；ReRAM)以及
2018-10-19 10:41
IMEC进行了设计技术协同优化（DTCO），以确定5nm节点上STT-MRAM单元的要求和规格，并得出了一个结论，高性能STT-MRAM位单元的MRAM间距是45nm接触栅极间距的两倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33
当下，新兴存储技术越来越受到业界的瞩目，如PCM、MRAM、ReRAM、FRAM等存储器已经蛰伏待机了几十年，以寻求适合其自身特点的应用机会，今天看来它们的机会真的到来了。
2018-12-15 09:44
新的技术出来。除了主流的电荷捕获（charge trap）存储器外，还有铁电存储器（FRAM）、相变存储器（PRAM）、磁存储器（
2019-01-01 08:55
（phase-change memory, PCM）、磁阻式随机存储（magnetoresistive random access memory, MRAM以及阻变式存储（resistive random acces
2018-07-04 11:55
目前具有突破性的存储技术有铁电RAM（FRAM）、磁性RAM（MRAM）、相变RAM（PRAM）或其他相变技术。本文将分别介绍这些技术的特点、比较和研发进展。
2016-04-22 11:10
本文提出了一种多功能存储器芯片的测试系统硬件设计与实现，对各种数据位宽的多种存储器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）进行了详细的结口电路设计
2018-06-19 14:08
在IBM新一代的FlashSystem存储设备中，将利用磁阻RAM（MRAM）来做写缓存，而不再使用传统的DRAM。 MRAM是目前可用的、速度最快的、耐用性最高的非易失性存储
2018-12-02 09:31
