静态导通电阻:58mΩ(在VGS=10V和VGS=20V时)- 阈值电压:-1~-3V- 封装:SOP8中文详细参数说明:F7342D2-VB为VBsemi生产
2024-03-19 13:43 微碧半导体VBsemi 企业号
:-7A- 静态导通电阻:35mΩ(在VGS=10V和VGS=20V时)- 阈值电压:-1.5V- 封装:SOP8中文详细参数说明:FDFS2P103A-VB为VBsem
2024-03-19 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
:-7A- 静态导通电阻:35mΩ(在VGS=10V和VGS=20V时)- 阈值电压:-1.5V- 封装:SOP8中文详细参数说明:FDS8934-NL-VB是VBsem
2024-03-19 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号
导通电阻:35mΩ(在VGS=10V和VGS=20V时)- 阈值电压:-1.5V- 封装:SOP8中文详细参数说明:该型号器件为VBsemi生产的双通道P型场效应
2024-03-19 11:44 微碧半导体VBsemi 企业号
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封装中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC / Qorv
2024-02-26 19:57 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号