静态导通电阻:58mΩ(在VGS=10V和VGS=20V时)- 阈值电压:-1~-3V- 封装:SOP8中文详细参数说明:F7342D2-VB为VBsemi生产
2024-03-19 13:43 微碧半导体VBsemi 企业号
:-7A- 静态导通电阻:35mΩ(在VGS=10V和VGS=20V时)- 阈值电压:-1.5V- 封装:SOP8中文详细参数说明:FDFS2P103A-VB为VBsem
2024-03-19 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封装中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC / Qorv
2024-02-26 19:57 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 一、2SJ400-VB 产品简介2SJ400-VB 是一款由 VBsemi 生产的单一 P-沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造。该器件封装在 TO263 外壳中,具有高
2024-07-15 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
:-7A- 静态导通电阻:35mΩ(在VGS=10V和VGS=20V时)- 阈值电压:-1.5V- 封装:SOP8中文详细参数说明:FDS8934-NL-VB是VBsem
2024-03-19 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号
Sumitomo Electric Device Innovations 的 FLL400IP-2 是一款射频晶体管,频率为 1.96 GHz,功率为 44.5 至 45.5 dBm,功率(W)为
2022-09-15 14:13 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号