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BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A

2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

AS7202是一种次级侧同步整流器回程转换器。它集成了超低导通状态电阻45V功率MOSFET，即可替代肖特基二极管的高效率。AS7202支持高侧和低侧应用。AS7202内置高压电源的VDD电容器

2023-10-17 17:53 腾震粤电子 企业号

MD18624高频栅极驱动器是设计用于驱动低侧n通道具有最大控制灵活性的mosfet独立的输入。每个通道可以源和汇5A峰值电流以及轨对轨输出能力。2.2nF负载下7ns/6ns上升和下降时间降低

2025-01-06 10:00 腾震粤电子 企业号

在实际的产品设计时，针对晶振部分的电路，你会发现会有下面2种电路，图1电路中，没有1M的电阻；图2电路中，晶振会并联一个1M的电阻。  对于晶振电路您可以会产生下面的疑问：1M

2022-11-10 11:28 SJK晶科鑫 企业号

这个功率MOSFET是使用米特克的先进的屏蔽栅MOSFET技术。这项先进的技术是特别定制的为了最大限度地减少导通状态电阻，提供优越的开关性能优良，并能承受高能脉冲中的冲击雪崩和换向模式。这些设备很好

2024-09-26 11:19 腾震粤电子 企业号

MOSFET，其频率外部电阻编程决定。为了保证亮度恒定并增强 LED 的可靠性，外部高亮 LED 串采用恒流方式控制，而不是恒压控制。其恒流值由外部取样电阻值决

2021-08-25 15:40 振邦微科技 企业号

第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和

2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑

2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号

 IU632C是一款3VRMS无杂音立体声线性驱动器,此驱动器设计用于去除输出隔直流电容器，以减少组件数目及成本。对于那些将尺寸和成本作为关键设计参数的单电源电子产品，该器件是理想的选择

2023-03-31 22:47 深圳上大科技 企业号

的MOSFET和IGBT栅极驱动器，广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。  ir2110替代芯片ID7

2022-07-30 16:06 深圳市骊微电子科技 企业号