电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数,尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数,MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线(简称
2024-06-05 11:16 武汉普赛斯仪表有限公司 企业号
AD7911ARMZ 特性吞吐量:250 kSPS额定电压(VDD):2.35 V至5.25 V低功耗: 4 mW(典型值,250 kSPS、3 V电源) 13.5 mW(典型值,250 kSPS
2024-03-25 11:29 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号