MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的驱动电流大小并不是一个固定的值，它受到多种因素的影响，包括MOSFET的具体型号、工作条件（如开关频率、栅极电压VGS、漏
2024-07-24 16:22
驱动电流对MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）性能有着显著的影响。MOSFET作为现代电子系统中常用的开关元件，其性能直接决定了系统的效率、稳定性和可靠性。以下
2024-07-24 16:27
常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。
2023-05-22 09:54
IRF540是一款常用的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于各种电子设备中。作为一款功率MOSFET晶体管，IRF540的驱动电流大小对其性能以及应用范围有着重要的影响
2023-12-25 10:38
本文会着重介绍TI集成MOSFET的有刷电机驱动芯片的电流输出级特性，以及如何增强驱动峰值
2023-07-04 10:21
本文将探讨使用1枚MOSFET对有刷直流电机进行PWM驱动时的电机电流和再生电流。
2023-02-14 09:26
MOSFET的驱动
2018-08-23 01:09
在电机驱动系统中，栅极驱动器或“预驱动器” IC常与N沟道功率MOSFET一起使用，以提供驱动电机所需的大
2023-08-02 18:18
MOSFET栅极电路常见的作用有哪些？MOSFET栅极电路电压对电流的影响？ MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管
2023-11-29 17:46
功耗是指MOSFET在指定的热条件下可以连续耗散的最大功率。对于MOSFET驱动器而言，其功耗主要由三部分组成：驱动损耗、开关损耗和导通损耗。这些损耗的产生与
2024-10-10 15:58
