功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
本文详细的对MOSFET的每个特性参数进行分析
2018-03-01 09:14
2所示，公式1极适用于平面型MOSFET组件，但像超接面等更复杂结构的表征效果极差，在任何计算中都会导致较大误差。为了适应各种新组件架构的电容特性需求，可以使用更有效率的电容测量方法，而非建立
2014-10-08 12:00
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中，MOSFET基本上被用作
2018-11-28 14:29
电力MOSFET开关概述及工作原理
2019-04-19 06:33
详细分析了UTB 结构的交流特性. 通过分析UTB SOI 器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响,对器件结构进行了优化. 最终针对UTB SOI
2011-12-08 17:16
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性：在功率转换中，MOSFET基本上被用
2023-02-09 10:19
碳化硅（SiC）MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性，这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET
2025-02-02 13:48
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度
2023-02-09 10:19
