关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
依赖性该特性是用于设计在预定工作电流Id的情况下在什么栅极驱动电压下影响V_DS(on)区域(导通电阻区域)的特性曲线。对于功率MOSFET，根据栅极驱动工作电流生产1
2024-06-11 15:19
的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS
2019-05-02 09:41
的输出电容与电压相关；因此，单点测量并不能精确地表现组件的电容特性。透过使用曲线适配方法从该单点找出输出电容公式。公式1就是25V电压时的电容示例。这个公式的积分可用于代替可用公式中的单值电容。如图1及图
2014-10-08 12:00
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中，MOSFET基本上被用作
2018-11-28 14:29
MOSFET自建模工具系统介绍从器件手册中获取MOSFET建模特性曲线Saber软件MOSFET直流
2017-04-12 20:43
。SiC-MOSFET体二极管的正向特性下图表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源极
2018-11-27 16:40
电机特性曲线
2012-02-01 21:34
IU5180的案子，充电时候，辐射过不了，这个频率应该是哪个位置需要修改呢 ？现在用15V/1A充电，调整充电电流的电阻的25mR
2023-12-15 10:18
一般情况换能器的特性曲线都是R和X组成的阻抗特性曲线或者由G和B组成的导纳特性曲
2017-09-05 16:09
