实验名称：功率放大器基于电场诱导的白光LED结构化涂层制备及其应用研究研究方向：电场诱导结构制备工艺试验研究实验内容：本文主要围绕：平面电极和机构化电极两种电场诱导工艺进行试验研究，在平面电极
2021-07-26 17:40 Aigtek安泰电子 企业号
实验名称：高压放大器交变电场作用下骨表面温升的实验研究实验目的：骨的微观结构十分复杂,到目前为止对骨的力电性质尚未完全了解﹐这是利用电信号影响骨生长的研究进展相对缓慢的主要原因。要解决此问题,唯有从
2023-04-10 10:35 Aigtek安泰电子 企业号
BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
实验名称：功率放大器在电场频率对驱动蓝相液晶温域及电光性能的影响中的应用实验目的：蓝相(BP)由于其独特的三维自组装结构和优异的电光特性而受到广泛关注,在快速光调制器或可调谐光子晶体领域具有广阔
2022-11-28 15:27 Aigtek安泰电子 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率40kHz左右，一般使用650V的超结MOSFET或者650V的IGBT，劣势是器件多，硬件设计复杂，效率低，失效率
2023-08-02 10:29 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
要求。 本文推荐基本半导体第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z用于工业电源，可以替代英飞凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N
2023-06-17 10:59 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
