功率MOS场效应晶体管技术讲座_功率MOSFET特性参数的理解。
2016-03-24 17:59
功率MOSFET特性参数的理解
2022-07-13 16:10
2012-06-02 14:56
雪崩电流IAS和IAR :下图ID峰值 单次雪崩能量EAS：一次性雪崩期间所能承受的能量， 以Tch<=150℃ 为极限 重复雪崩能量EAR：所能承受以一定频率反复出现的雪崩能量， 以Tch<=150℃ 为极限
2022-05-09 11:18
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14
记得作者2002年做研发的时候，在热插拨的应用中就开始关注到这个问题，那时候很难找到相关的资料，最后在功率MOSFET的数据表中根据相关的图表找到导通电阻RDS(ON)的这个违背常理的特性，然后
2016-09-26 15:28
也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构MO
2021-07-29 09:46
2021-09-04 11:09
也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构MO
2021-10-28 10:06
MOSFET的热阻特性所以，连续漏极电流ID是基于硅片最大允许结温的计算值，不是一个真正的测量值，而且是基于TC=25℃的计算值。RqJC，TC，这里的C: Case，是裸露铜皮，不是塑料外壳，实际
2016-08-15 14:31
