具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的
2022-07-06 12:30
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet
2018-09-23 11:17
的优点，以提高增益、稳定性和频率响应。 优点： 高增益 ： 折叠共源共栅放大器通过级联共源和共栅放大器，实现了更高的增益。 共源
2024-09-27 09:50
共源共栅放大器是一种特殊的放大器结构，它结合了共源放大器和共栅放大器的特点。在共源共
2024-02-19 16:15
偏 HTGB试验；其次，针对高压SiC MOSFET 的特点进行了漏源反偏时栅氧电热应力的研究。试验结果表明，在高压 SiC MOSFET 中，漏
2024-01-04 09:41
。 在一般情况下，共源共栅放大器的增益可以通过以下公式进行估算（注意，这里的公式可能因具体电路和设计而有所不同）： 电压增益 A v 可以用以下形式表示： 其中： g m 1 是输入晶体管的跨导。 g m 2
2024-09-27 09:45
忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压
2021-06-12 17:12
本文探讨了 SiC 共源共栅在困难条件下（包括雪崩模式和发散振荡）的性能，并研究了它们在利用零电压开关的电路中的性能。
2022-05-07 16:27
一、电压源及其特点 1、电压源 不论流过的电流为多少，其两端总能保持一定的电压，能为外电路提供一定能量的有源元件叫做
2023-09-18 11:40
一、电压源 电路中的功能元件称为电源，，可以采用两种模型表示，即电压源和电流源。 1 ．理想
2017-06-02 14:08
