上海伯东美国 KRi 大尺寸考夫曼离子源 KDC 160 适用于 2-4英寸的硅片刻蚀和清洁应用, KRi KDC 160 是直流栅网离子源, 高输出离子束电流超过 1000mA. 高功率光束无需
2024-09-13 10:10 伯东企业（上海）有限公司 企业号
的一系列样值，然后重构波形。 为了保证示波器测量中信号的准确性和完整性，一般需要电压基准源用于维持恒定的输出电压。国芯思辰超低噪声、低温漂的GREF05
2023-11-22 10:44 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
（典型值），采用SOW-18（宽体）封装， 高达5000Vrms的隔离电压，适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 应用上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 系列, 提供高电流低能量宽束型离子束, KRi 霍尔离子源可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种
2023-05-11 13:26 伯东企业（上海）有限公司 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
