的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。测量SiC MOSFET栅-源电压：一般测量方法电源单元等产品中使用
2022-09-20 08:00
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC
2022-06-08 14:49
在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。
2022-09-17 10:02
本文的关键要点・探头的连接方法会给波形测量结果带来很大影响。・如果延长线较长，在栅极引脚和源极引脚与测量夹具之间形成的环路会导致观察到的波形与真正的波形完全不同，因此，连接时要确保这个环路最小。
2023-02-09 10:19
本文的关键要点・如果将延长电缆与DUT引脚焊接并连接电压探头进行测量，在开关速度较快时，观察到的波形会发生明显变化。・受测量时所装的延长电缆的影响，观察到的波形会与真正的原始波形完全不同。
2023-02-09 10:19
本文的关键要点・在某些位置测量波形时，观测到的波形可能与实际波形不同。・理想的做法是测量位置要应尽可能地靠近DUT，最好在引脚根部。
2023-02-09 10:19
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源
2023-05-08 11:23
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源
2023-04-06 09:11
关键要点・除了测量位置之外，探头的安装位置也很重要。・如果不慎将电压探头安装在磁通量急剧变化的空间内，就会受到磁通量变化的影响，而体现在观测波形上。
2023-02-09 10:19
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的
2022-07-06 12:30
