MOSFET驱动器功耗 MOSFET驱动器的功耗包含三部分： 由于MOSFET栅
2024-10-29 10:45
高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器
2024-11-11 17:21
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率
2019-07-03 16:26
和发射极。为了工作MOSFET/IGBT，通常必须向栅极施加相对于器件源极/发射极的电压。专用驱动器用于向功率器件的栅极
2023-01-30 17:17
： 栅极驱动IC是一种集成电路，用于控制功率MOSFET或IGBT的开关行为。它负责提供适当的电压和电流，以确保
2024-09-18 09:45
如果特定功率器件需要正极和负栅极驱动，电路设计人员无需寻找专门处理双极性操作的特殊栅极驱动器。使用这个简单的技巧使单极性
2023-02-16 11:04
驱动设计时需要选取合适的驱动电流，太小驱动能力不足，增加功率器件损耗，太大可能引起开通振荡。
2022-05-01 09:09
损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考IC的技术规格书。
2020-04-05 11:52
隔离式栅极驱动器提供电平转换、隔离和栅极驱动强度，以便操作功率器件。这些栅极
2022-12-19 11:46
栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET，JFET等，因为如MOSFET有个栅极
2020-01-29 14:18
