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如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性

2018-08-02 01:20

其中，高压超级结 MOSFET，是一种可以广泛应用于模拟与数字电路的基础微电子元器件，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点；其中，高压MOSFET 功率器件通常指工作电压为 400V 以上的 MOSFET 功率器件。

2022-05-18 14:04

引言：EV和充电桩将成为IGBT和MOSFET最大单一产业链市场！EV中的电机控制系统、引擎控制系统、车身控制系统均需使用大量的半导体功率器件，它的普及为汽车功率半导体市场打开了增长的窗口。充电桩中

2024-02-19 12:28 向欣电子 企业号

工作性能和稳定性。本文将详细介绍影响MOSFET阈值电压的因素，包括材料、结构、工艺和环境等方面。 一、材料因素 1.衬底材料 衬底

2023-09-17 10:39

能。❖功率半导体芯片：如IGBT、FRD、MOSFET等等，传统Si基和新兴的第三代半导体SiC等，它们的特性受制于其本身的设计，同时也需要看于其搭配的封装材料和

2023-10-24 09:45 向欣电子 企业号

，它决定了MOSFET从关闭状态到开启状态的转换点。本文将探讨MOSFET的Vth与哪些因素有关。 材料特性 MOSFET的Vth与其制造

2024-07-31 14:59

不同。在本篇文章中，我们将详细讨论MOSFET的工作原理以及JFET和MOSFET之间的区别。 首先，让我们来了解MOSFET的工作原理。MOSFET由P型/ N型半导

2023-11-22 17:33

MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用 　 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的

2009-12-29 10:41

碳化硅（SiC）MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性，这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET的主要参数特性，并通过对比硅基

2025-02-02 13:48

半导体场效应晶体管（MOSFET）的基础材料，但它们在材料特性、性能、制造工艺以及应用领域上存在显著差异。这里对金属氧化物和柔性石墨烯MOS的主要区别做以下分享：1.

2024-12-19 15:23 MDD辰达半导体 企业号