（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特
2023-06-17 14:24
沟道有效迁移率（µeff）是CMOS器件性能的关键参数。传统测量方法在高k介质、漏电介质与高速应用中易出现误差。本文介绍了UFSP（Ultra-Fast Single Pulse）技术如何准确提取迁移率，克服这些挑战
2025-05-19 14:28
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。##在功率MOSFET保护电路输入
2014-04-25 11:15
我们都知道功率半导体器件属于电力电子开关，开关速度非常快，1秒可以开关上千次(kHz)，高速功率器件可达到几十kHz，甚至上百kHz。开关速度越快意味着器件的电压变化率
2022-04-22 11:29
2.5平方铜线是一种常见的电线规格，它的截面积是2.5平方毫米。这种电线能够承受的电流值取决于其截面积和工作环境。根据一般标准，2.5平方铜线可以安全地传输16至25安培的电流。
2023-12-05 14:19
比如2.5平方的铜芯线，暗线铺设最大可以承受4000瓦的电器功率，6平方的铜芯线可以承受7500瓦以内的电器功率。而两根2.5平方的铜芯线并接在一起，理论上讲就可以承受8000瓦以内的电器功率。
2023-07-16 11:29
谈起电源转换器的设计，诸如碳化硅（SiC）等宽禁带（WBG）技术是当今进行器件选择时的现实考虑。650V SiC MOSFET的推出使它们对于某些以前从没有考虑过的应用更具吸引力，这些器件在高效硬
2021-04-03 09:17
半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外，我们还提供spice物理模型，帮助设计人员在仿真中实现其应用性能，缩短昂贵的测试
2020-05-28 09:58
