在仪表和测量系统中广泛使用了平方根计算电路，例如：用于计算任意波形rms （均方根）等任务。因此，设计师需要有一种高效的模拟平方根计算装置。由于制造商常采用MOS技术制造IC，采用基于MOSFET
2020-08-12 14:35
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。如果
2019-05-07 06:21
通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。 SiC器件漂移层的阻抗
2023-02-07 16:40
GaN MOSFET（氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新型的功率器件，具有高功率密度、高效率和快速开关速度等优点。与传统的硅基MOSFET相比，GaN MOSFET
2024-07-14 11:39
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
` 谁来阐述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06
消除二极管整流器件正向压降来大幅降低功率损耗。N沟道MOSFET具有小RDSON，并且它们相关的压降也是最小的。表1中是一个5A (I_rms = 3.5A) 二极管整流器与一个10m
2018-05-30 10:01
一样，商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中，并且 - 以及器件技术进步的简要历史 - 展示其技术优势及其未来的商业前景。 碳化硅或碳化硅的历史
2023-02-27 13:48
（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特
2023-06-17 14:24
