IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术:介绍了绝缘栅大功率器件各种不同的驱动技术以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特点。关键词院MOSFET IGBT 隔离驱动 光
2009-06-20 08:37
超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响:对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM 器件为例，介绍了超结器件的工作
2009-12-13 19:57
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiCMOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种结构的中间
2023-06-19 16:39
近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700
2017-11-08 15:14
摘 要： 对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM 器件为例，介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法；并对其他基于超结
2008-11-14 15:32
近年来，宽禁带半导体SiC器件得到了广泛重视与发展。SiC MOSFET与Si MOSFET在特定的工作条件下会表现出不同的特性，其中重要的一条是SiC MOSFET在
2020-07-20 08:00
因IGBT具有电流拖尾效应，在关断时要求更好的抗干扰性，需要负压驱动。MOSFET速度比较快，关断时可以没有负压，但在干扰较重时，负压关断对于提高可靠性有很大好处。
2023-11-14 15:07
`·随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将
2011-08-17 14:18
SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
2021-04-23 07:04
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2012-08-16 10:59
