（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特
2023-06-17 14:24
GaN MOSFET（氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新型的功率器件，具有高功率密度、高效率和快速开关速度等优点。与传统的硅基MOSFET相比，GaN MOSFET
2024-07-14 11:39
请问第五问，栅压如何计算呢？表面势能从能带图上看出来吗？
2021-03-03 16:45
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2012-08-16 10:59
IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术:介绍了绝缘栅大功率器件各种不同的驱动技术以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特点。关键词院MOSFET IGBT 隔离驱动 光
2009-06-20 08:37
IGBT的驱动电压一般都是15V，而SiC MOSFET的推荐驱动电压各品牌并不一致，15V、18V、20V都有厂家在用。更高的门极驱动电压有助于降低器件导通损耗，SiC MOSFET的导通压降对门
2024-05-13 16:10
、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像
2023-10-18 16:05
SiC MOSFET器件的短路耐受能力，在高压和低压应用是有所不同的，在耐受时间上通常在2-7μs范围内。多数规格书标称的短路时间是供应商在评估器件初期，使用单管封装测试的，2-3μs;到模块
2025-09-02 14:56
MOSFET器件选型，你需要掌握的3大法则！
2019-07-02 14:45
工程师必看！MOSFET器件选型的3大法则
2023-12-06 15:58
