电压摆幅在MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。
2023-04-17 09:45
为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。 看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值 自从2
2021-11-24 11:22
MOSFET的UIS及雪崩能量解析 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲
2010-04-26 18:19
在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、栅极电荷），其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可（IDA、SOA曲线），而其它的某些参数自始至终就毫无用处（比如说：开关时间）。
2017-04-18 11:36
嗨，我的FET狂热爱好者同行们，欢迎回到看懂MOSFET数据表博客系列的第3部分！今天我们来谈一谈MOSFET电流额定值，以及它们是如何变得不真实的。好，也许一个比较好
2017-04-18 11:47
一些功率半导体器件设计为在有限时间内承受一定量的雪崩电流，因此可以达到雪崩额定值。其他人会在雪崩开始后很快失败。性能差异源于特定的设备物理、设计和制造。
2021-06-23 14:28
嗨，我的FET狂热爱好者同行们，欢迎回到“看懂MOSFET数据表”博客系列的第3部分！今天我们来谈一谈MOSFET电流额定值，以及它们是如何变得不真实的。好，也许一个比
2021-11-24 11:36
功率MOSFET的UIS雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2023-06-29 15:40
，假定RθCase-to-Ambient 为零，这在应用中并不是一个很实用的条件，这样的话，最好将这个电流额定值视为表示器件RDS(ON) 和热阻抗的品质因数。
2023-04-17 09:48
本篇是读懂MOSFET datasheet系列第三篇，主要介绍绝对最大额定值相关的参数。 主要包括VDS、VGS、ID、IDM、IAS、EAS、PD、TJ、TSTG几个参数，参数列表如下所示。
2023-04-26 17:51
