一些功率半导体器件设计为在有限时间内承受一定量的雪崩电流，因此可以达到雪崩额定值。其他人会在雪崩开始后很快失败。性能差异源于特定的设备物理、设计和制造。
2021-06-23 14:28
欢迎场效应晶体管（FET）的爱好者们再度光临，阅读“了解MOSFET产品说明书”博客系列的第四部分！今天，笔者将谈论脉冲电流额定值、它们的计算方法以及在FET产品说明书的安全工作区图中是如何描绘它们的。
2022-02-06 09:18
电机驱动器IC（集成电路）是用于控制和驱动电机的专用芯片，它们包含用于放大电流、控制电机相序、调节速度和保护电路等功能。电机驱动器IC的绝对最大额定值是指在其数据手册中指定的极限条件下的电气参数
2024-02-05 14:31
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。
2022-05-16 15:05
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有
2024-02-23 09:38
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩
2022-04-19 15:10
电容器、电阻器和集成电路在内的许多电子元件都有规定的额定电压，电感器却很少有规定。为什么电感数据表上没有规定额定电压？
2019-12-01 10:44
锂电池、功率因数转换器和改进的低 ESR 电容器为经典的 SEPIC 拓扑结构增添了新的光彩。SEPIC（单端初级电感转换器）的特点是其输入电压范围可以与输出电压重叠。然而，由于SEPIC文献非常少，当被要求设计这些电路之一时，不是能量转换器专家的设计工程师可能会感到无助。
2023-03-10 10:34
通常，在功率MOSFET的数据表中的第一页，列出了连续漏极电流ID，脉冲漏极电流IDM，雪崩电流IAV的额定值，然后对于许多电子工程师来说，他们对于这些电流
2021-03-11 10:53
