运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。MOSFET可以是P沟道也可以是N沟道，其工作可以是耗尽型或者增强型
2012-12-10 21:37
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。MOSFET可以是P沟道也可以是N沟道，其工作可以是耗尽型或者增强型
2012-01-06 22:55
，新能源 工业的控制电路中。按工艺分有VDMOS， trench mosfet， Superjunction mosfet。其中trench 主要用在中低压mosfet
2011-03-07 14:30
MOS的结构碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温度中进行退火激活。一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。由于碳化硅材料中同时有Si和C
2019-09-17 09:05
，Si-MOSFET在这个比较中，导通电阻与耐压略逊于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率条件下，高速工作表现更佳。平面MOSFET与超级结MOSFETSi-MOSF
2018-11-28 14:28
。正因为这些优点，也驱使半导体制造公司不断的采取新的工艺，追求更低的工艺尺寸，来提升半导体器件的性能、降低功耗。图2：变形的平面横向导电MOSFET结构图2右上角为平面MOSF
2017-01-06 14:46
大部分功率 MOSFET 都是增强型的。（可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧，看来理论总是跟实际有差距的，哈哈）MOSFET 是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟
2019-11-17 08:00
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些应用？
2021-07-09 07:45
。2）封装限制线当顺着Rdson向着更大电压和电流的方向移动就会到达封装限制线。不同封装的MOSFET和工艺水平决定了这条线的水平。封装限制线并不随着温度变化而变化。3）最大功率限制线封装限制线之后
2018-07-12 11:34
矛盾的参数，为了减小导通电阻，就必须增加硅片面积；硅片面积增加，寄生的电容也要增加，因此对于一定的面积硅片，只有采用新的工艺技术，才能减小的寄生的电容。通常功率MOSFET的开关损耗主要与米勒电容、即
2016-10-10 10:58
