碳化硅MOSFET技术是一种半导体技术，它可以用于控制电流和电压，以及检测电阻、电容、电压和电流等参数，以确定电子设备是否正常工作。
2023-02-15 16:23
据外媒报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校（UW Madison）的研究人员们，已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅大大简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的制造工艺，还克服了许多使用标准技术制造设备时所遇到的操作上的问
2016-04-30 10:04
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电子工业中的核心元件之一，其参数与工艺对于电路的性能、效率及可靠性具有至关重要的影响。以下将从MOSFET的主要参数、不同工
2024-07-24 16:31
上海雷卯电子有Trench工艺和平面工艺MOSFET，为什么有时候推荐平面工艺MOSFET呢，有时候推荐用Trench
2023-09-27 09:27
本文通过图文并茂的方式生动展示了MOSFET晶体管的工艺制造流程，并阐述了芯片的制造原理。 MOSFET的工艺流程 芯片制造
2024-11-24 09:13
uSGT MOSFET的市场前景 SGT-MOS的全称是“Split Gate Trench-MOSFET”，中文叫屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET。SGT-MOS严格意义上来说，在
2024-11-08 10:36
近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z）通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试
2024-06-24 09:13
级可靠性认证证书，而且通过了新能源行业头部企业的导入测试，正式开启量产交付。 这不仅验证了瞻芯电子第二代SiC MOSFET工艺平台的可靠性，也为后续即将量产的其他SiC MOSFET产品奠定了
2023-08-21 09:42
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。MOSFET可以是P沟道也可以是N沟道，其工作可以是耗尽型或者增强型
2012-12-10 21:37
