的MOSFET设计了一种商标CoolMOS，这种结构从学术上来说，通常称为超结型功率MOSFET。图3：内建横向电场的SuperJunction结构垂直导电N+区夹在两边的P区中间，当MOS关断
2018-10-17 16:43
能力跟栅极电压有关，栅极电压越高，沟道的宽度和导电能力越强。可以认为，当栅极小于开启电压UT时，没有沟道形成。所以在MOSFET栅极零偏置时，MOSFET被关断，其间不会出现双极型器件因为储存载流子的抽出
2024-06-13 10:07
，合适于功率MOSFET的应用。这种结构称为垂直导电双扩散MOS结构VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N沟道MOSFET
2016-10-10 10:58
MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在
2023-02-27 11:52
随之增加。如果类似于IGBT引入少数载流子导电，可以降低导通压降，但是少数载流子的引入会降低工作的开关频率，并产生关断的电流拖尾，从而增加开关损耗。超级结MOSFET的结构高压的功率MOSFET的外延
2017-08-09 17:45
和工作原理 功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在
2019-06-14 00:37
金属-氧化层半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路
2020-07-06 11:28
场效应晶体管(IGFET)。MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写，平面型器件结构，按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件
2012-12-10 21:37
场效应晶体管(IGFET)。MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写，平面型器件结构，按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件
2012-01-06 22:55
是因为N沟道的RDS(on)小于P沟道的，并且通过在栅极上施加正电压导通。MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使
2021-04-09 09:20
