应用，处理此类应用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或简称SiC已被证明是一种材料，可以用来构建类似MOSFET的组件，使电路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多关注，不仅因为它
2023-02-24 15:03
本帖最后由 王栋春 于 2021-1-9 22:25 编辑 变压器制造技术丛书 绝缘材料与绝缘件制造工艺 资料来自网络资源分享
2021-01-09 22:23
100nm的超薄SIMOX材料,其顶层硅与BOX层界面有更多的缺陷,会影响到在顶层硅膜上制得的器件的性能,引起NMOSFET的阈值电压升高、载流子迁移率降低。Pseudo-MOSFET方法能够在晶圆水平上快捷
2010-04-24 09:02
[3]和[13]中用的样品，不能被用于实际应用。在本文中，对于3-D互连的超材料制造的低温共烧陶瓷（LTCC），表现出的每种设计规范所表现出的超材料色散现象，我们提出了一种设计方法。LTCC工艺被广泛
2019-05-28 06:48
个制造问题还是这些MOSFET的行为只是这样？请解释！以上来自于谷歌翻译以下为原文 We have purchased 10 qty of STL160NS3LLH7 MOSFET IC. We
2019-06-19 11:44
电机的制造材料电机是按电磁感应定律而实现能量转换的，因此，电机中应该有电和磁的通路，即电路和磁路，构成电路和磁路的材料为导电材料和导磁
2017-05-19 14:10
我一直在使用 LPS28DFWTR 压力传感器并注意到它对阳光非常敏感。就像在阳光照射下一样，压力会显着上升。因为膜似乎比温度传感器加热得快得多，所以报告的压力没有经过温度补偿。这不是真正的问题，但我很好奇用于制造膜的材料是什么？
2022-12-01 06:51
展会时间:2013年11月 14-16日 主办单位：印度线圈展组委会 中国组团机构:北海展览 展会地点：印度 班加罗尔 展会周期：每年一届 展览会概况：“印度线圈、绝缘材料及电器制造展
2013-07-06 11:59
SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
2021-04-23 07:04
、绝缘材料及电器制造展CWIEME CHICAGO展会时间:2012年9月 25-27日主办单位：芝加哥线圈展组委会中国组团机构:北海展览展会地点：美国芝加哥展会周期：两年一届展览会概况：“美国芝加哥线圈
2011-09-20 16:13
