The HIP2060 is a dual MOSFET array topology in a half-bridgeconfiguration which represents a new
2009-05-12 11:09
1.低导通电阻 卓越的沟槽工艺与封装技术相结合实现了低的导通电阻。这有助于提升您应用中的产品性能。 2.小型封装产品阵容3.封装类型[tr=transparent]Toshiba Package NameSOT-23F[/tr][tr=transparent]Package Image[/tr][tr=transparent]Pins3[/tr][tr=transparent]MountingSurface Mount[/tr][tr=transparent]Width×Length×Height(mm)2.9×2.4×0.8[/tr][tr=transparent]Package Dimensions[/td][/tr][tr=transparent]Land pattern dimensions[/tr] Please refer to the link destination to check the detailed size.Absolute Maximum Ratings[tr=transparent][td=40%]CharacteristicsSymbolRatingUnit[/tr][tr=transparent]Drain currentID-6A[/tr][tr=transparent]Power DissipationPD1W[/tr][tr=transparent]Drain-Source voltageVDSS-30V[/tr][tr=transparent]Gate-Source voltageVGSS+/-12V[/tr]产品特性[tr=transparent]项目符号条件数值单位[/tr][tr=transparent]Input capacitance (Typ.)Ciss-560pF[/tr][tr=transparent]Total gate charge (Typ.)Qg-8.2nC[/tr][tr=transparent]Drain-Source on-resistance (Max)RDS(ON)|VGS|=10V0.042Ω[/tr][tr=transparent]Drain-Source on-resistance (Max)RDS(ON)|VGS|=4.5V0.05Ω[/tr][tr=transparent]Drain-Source on-resistance (Max)RDS(ON)|VGS|=2.5V0.072Ω[/tr][tr=transparent]Drain-Source on-resistance (Max)RDS(ON)|VGS|=1.8V0.144Ω[/tr][tr=transparent]Drain-Source on-resistance (Typ.)RDS(ON)|VGS|=10V0.036Ω[/tr][tr=transparent]Drain-Source on-resistance (Typ.)RDS(ON)|VGS|=4.5V0.0425Ω[/tr][tr=transparent]Drain-Source on-resistance (Typ.)RDS(ON)|VGS|=2.5V0.0575Ω[/tr][tr=transparent]Drain-Source on-resistance (Typ.)RDS(ON)|VGS|=1.8V0.0765Ω[/tr][tr=transparent]Gate threshold voltage (Max)Vth--1.2V[/tr][tr=transparent]Gate threshold voltage (Min)Vth--0.5V[/tr]
2018-05-15 22:37
半导体开关器件时 IGBT（绝缘栅双极晶体管）集合了BJT 和MOSFET的优点。可是他仍只适合较低频率、大电流装置。试问频率的高低判断标准是多少呀？？
2011-05-16 22:00
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以
2019-04-09 04:58
CCG8 使用 GPIO 来控制 FET 栅极驱动器的功率吸收路径， 我可以使用 P-MOSFET 作为电源接收路径吗？ 使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些优点？
2025-05-28 06:51
引言IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断
2021-09-09 09:02
绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有
2009-11-05 11:40
绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。
2022-10-28 16:12
日益增长的电力需求。在这篇文章中，我将探讨如何实现。 为何选择GaN？当涉及功率密度时，GaN为硅MOSFET提供了几个主要优点和优势，包括：•较低的RDS（on）：如表1所示…
2022-11-14 07:01
事实上IGBT的结构与MOSFET十分接近，只是在其背面增加了N+和P+层，“+”意味着更高的自由电子或者空穴密度。从而IGBT在保留MOSFET优点的同时，增加了载流能力和抗压能力。
2022-08-22 15:57
