(SiC) 还是硅 MOSFET，仿真预测的可靠性与模型的精度密切相关。老话说得好，“垃圾进，垃圾出”，即如果输入的是垃圾，那么输出的也是垃圾。 设计人员根据产品手册中在实验室环境下测量出的器件特性（如导通损耗、能量损耗和热阻等），构建系统级模型，大多
2024-04-30 14:54
Vishay Intertechnology, Inc宣布，对其ThermaSim在线MOSFET热仿真工具进行了改进
2010-06-25 10:20
在电力电子和电路仿真领域，精度至关重要。仿真结果的真实性取决于各个器件所采用模型的准确性。无论是IGBT、碳化硅(SiC)还是硅MOSFET，仿真预测的可靠性与模型的精
2024-08-20 16:43
图1中的仿真电路图是升压转换器功率级的仿真电路图，此处用于评估栅极电阻对功率级的影响。在此仿真中，我将瞬态电压、电流和导通功率的大小视为潜在可靠性和EMI问题的指标;与组件选择相关的问题;和布局寄生效应。因此，应该很
2023-06-28 10:29
设计中，根据IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手册中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲线及相关参数，利用saber提供的Model Architect菜单下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型
2011-03-31 11:53
日前，Vishay Intertechnology， Inc推出用于功率MOSFET、microBUCK® 功率IC和DrMOS产品的免费在线热仿真工具ThermaSim 3.0版。为精确分析仿真
2013-03-05 15:52
继上一篇中通过双脉冲测试进行损耗比较的内容之后，本文中我们将对本系列文章的评估对象——三相调制逆变电路中的效率进行比较。MOSFET与双脉冲测试中使用的产品型号一样，即PrestoMOS™ 和普通的SJ MOSFET 。这次是通过
2024-07-31 14:14
MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的
2009-12-29 10:41
SiC 基MOSFET可广泛地应用于并网逆变器、双有源桥双向直流变换器、电动汽车充电器、三相电机驱动器、固态断路器等领域；通过减小无源元件体积，可降低损耗和散热器体积，并极大程度上提高变换器
2021-10-15 14:29
摄氏度下的模拟损耗仿真对比。 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个
2025-02-10 09:36
