解决方案更高的功率密度和更高的效率。无铅RoHS封装新增PowerTrench器件，丰富了FAI中等电压范围MOSFET产品阵容，作为齐全的PowerTrenchMOSFET产品系列的一部分，它能够满足
2012-04-28 10:21
采用双沟槽结构的SiC-MOSFET，与正在量产中的第2代平面型（DMOS结构）SiC-MOSFET相比，导通电阻降低约50%，输入电容降低约35%。实际的SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04
新一代无线通讯技术的快速发展和越来越广泛的应用，RF 功率 MOSFET有着非常乐观的市场前景。而目前国内使用的RF功率器件仍然依赖进口，国内RF芯片和器件自有产品不到1%，因此，自主开发RF功率MOSFET具有非常
2019-07-08 08:28
。如果是相同设计，则与芯片尺寸成反比，芯片越小栅极电阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此栅极电容小，但内部栅极电阻增大。例如，1200V 80mΩ产品（S2301为裸芯片
2018-11-30 11:34
损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低组成全SiC功率模块的SiC-MOSFET在不断更新换代，现已推出新一代产品
2018-12-04 10:11
引言 如今，客户要求产品不但节能，还要体积更小，从而推动功率转换行业向前发展。交流/直流和直流/直流转换器拓扑的不断发展，改善了转换器效率。功率MOSFET是功率转换器的核心部件，是设计高能效产品
2018-12-07 10:21
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容，以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。本章将以SJ-MOSFET的trr速度更
2018-11-28 14:27
小弟最近在计算某个MOSFET模块的损耗，想用PLECS建模分析一下，求教大神如何对MOSFET建模，如何把产品data sheet里的数据信息加进去呢，老师催的急，希望大神不吝赐教，小弟感激不尽
2016-06-15 10:45
性和低噪声特征，超级结MOSFET有一些变化。从下篇开始，将介绍每种变化的特征。关键要点:・Si-MOSFET的产品定位是“以低～中功率高速工作”。・超级结结构可保持耐压的同时，降低导通电阻RDS
2018-11-28 14:28
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品
2021-07-29 09:46
