的抑制，尤其值得注意的是TVS管的穩態平均功率是否在安全範圍之內。降額使用 作為半導體器件的TVS管，要注意環境溫度升高時的降額使用問題。特別要注意TVS
2013-12-03 13:08
目录 IGBT和MOS管的区别：IGBT和可控硅的区别：IGBT驱动电路设计：1、
2021-09-09 08:05
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 编辑 mos管叫场效应管，mos管和三极管不能直接代换
2012-07-11 11:53
，中间脚为负，P-MOS的话是右边脚为负，中间脚为正），如果两个方向都不通就是IGBT简单点说，用万用表的二极管导通档测量管子的中间脚和右边脚，如果能通的话就是MOS
2012-07-10 09:48
三极管MOS管原理(很详细)
2015-10-15 16:27
区别：1.MOS管损耗比三极管小，导通后压降理论上为0。2.MOS管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个1
2021-10-29 08:38
和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导。gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数。一般在十分之几至几mA/V的范围内。 6.导通电阻RON 导通电阻RON说明
2018-11-20 14:06
本资料涵盖有2千个型号的MOS管，可以根据电压，电流，封装，内阻等快速选出合适的型号MOS:电压范围:-200V~+900V电流范围:-95A~250AIGBT电压范围:270V~1200V电流范围:40A~150A
2012-03-25 11:24
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:56 编辑 MOS管，三极管属于两种不同类型管子， 它们的区别在于，MOS
2012-07-09 17:03
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 编辑 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管
2012-07-09 11:53
