中使用的存储单元可用于 1E6 次读/写操作 *1,它的读/写耐久性大大超过 FLASH 和 EEPROM,且不会像FLASH 或 EEPROM 那样需要很长的数据
2023-07-18 17:13 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
中使用的存储单元可用于 1E6 次读/写操作 *1,它的读/写耐久性大大超过 FLASH 和 EEPROM,且不会像FLASH 或 EEPROM 那样需要很长的数据
2023-07-18 17:08 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
综合测试仪,支持5G NR SA,配合MT8821C后还支持5G NR NSA。 1. 支持各种测试要求 MT8000A 通过一体化硬件切换应用支持非
2024-03-07 10:05 深圳市智达仪器有限公司 企业号
描述 MT2593是一款输入耐压可达40V的降压式DC/DC驱动电路,能够实现精确的恒流以及恒压功能。 MT2593内置75mohm的功率MOSFET,可持续输出 5V
2023-05-10 16:49 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
MRF1000MB双极专为 IFF、DME、TACAN、雷达发射机和 CW 系统的低功率级中的 A 类和 AB 类共发射极放大器应用而设计。 特征性能
2022-11-30 21:59 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
能力扩展到任何一个电源。MT0630的温度范围很宽,从-40°C到+85°C。可使用低至1.8V(±0.9V)和高达5.5V(±2.75V)的单电源或双电源。MT
2023-05-10 13:47 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
1.概述W631GU6MB是1G位DDR3L SDRAM,组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高
2024-03-28 15:01 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号