描述TTP119-BB8N是一款使用電容式感應原理設計的觸摸IC,提供穩定的“觸摸按鍵”檢測效果可以廣泛的滿足不同的應用需求且可在有介質隔離保護的情況下實
2023-08-23 11:06 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
### 60N745U2G-VB MOSFET 产品简介60N745U2G-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO252封装。由VBsemi采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有适中的漏极
2024-11-15 17:48 微碧半导体VBsemi 企业号
描述TTP118-CA6主要用於單通道觸摸按鍵控制晶片。提供穩定的“單通道觸摸按鍵”檢測效果可以廣泛的滿足不同的應用需求且可在有介質隔離保護的情況下實現觸摸功能,安全性
2023-08-23 09:38 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
### 产品简介**60N900U1G-VB** 是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO252封装,适用于中高压应用场合。具有650V的击穿电压和高达7A的连续漏极电流能力,采用
2024-11-15 17:49 微碧半导体VBsemi 企业号
采用平面技术制造,能够在稳定的工作条件下提供可靠的性能。### 4N40G-TA3-T-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO220- **器件配置**:单
2024-11-13 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号
深圳市港禾科技有限公司所上传的产品图片均为实物拍摄。A-U25N-P06G-PQ-G 由于电子元器件价格因市场浮动,网站展示价格仅为参考价,不能作为最后成交价格,具体价格请与
2022-12-10 18:15 深圳市港禾科技有限公司 企业号
## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件,它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻,适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
一、产品简介:IPD230N06NG-VB是一款N沟道场效应管,由品牌VBsemi生产。该器件具有60V的漏极-源极电压额定值,能够承受最大45A的漏极电流。其导通状态下的导通电阻(RDS
2024-06-03 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号