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型号：CMD<b class='flag-s-7'>262</b> 品牌：

​​Qorvo 的 CMD262 是一款 5 W GaN MMIC 功率放大器芯片，非常适合需要高功率和高线性度的 Ka 波段通信系统。该器件提供大于 26 dB 的增益，相应的输出 1 dB 压缩

2022-11-02 11:36 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：147N12N-VB TO<b class='flag-s-7'>262</b> 品牌：微碧

### 147N12N-VB TO262 产品简介147N12N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO262 封装技术。该器件具有 100V 的漏源电压 (VDS

2024-07-06 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：80CN10N-VB TO<b class='flag-s-7'>262</b> 品牌：微碧

### 一、80CN10N-VB TO262 产品简介80CN10N-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装形式为TO262。具有100V的耐压能力和极低的导通电阻，适合于

2024-11-21 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：045N10N-VB TO<b class='flag-s-7'>262</b> 品牌：微碧

### 产品简介`045N10N-VB TO262` 是一种高性能的单N沟道MOSFET，采用TO262封装技术。该产品以低导通电阻和高电流处理能力为特点，适用于各种高效电力转换和管理

2024-07-02 15:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：052NE7N-VB TO<b class='flag-s-7'>262</b> 品牌：微碧

VBsemi的052NE7N-VB是一款TO262封装的单N沟道MOSFET。它具有80V的漏极-源极电压（VDS）、20V（±V）的门极-源极电压（VGS）、3V的阈值电压（Vth）、在VGS

2024-07-02 16:43 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：TMC<b class='flag-s-7'>262</b>C-LA 品牌：

一、产品概述TMC262 是一款集成式步进电机预驱动器解决方案，适用于实验室自动化、3D 打印、扫描仪和其他自动化设备应用。该器件能够驱动高达40mA的栅极电流，并由Trinamic

2022-11-03 17:11 卓联微科技 企业号

型号：3N0403-VB TO<b class='flag-s-7'>262</b> 品牌：微碧

### 一、产品简介3N0403-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用 TO262 封装。它具有60V的漏源电压（VDS），适用于中功率应用。该器件采用了沟道（Trench）技术，具有较低的导通电

2024-11-06 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：82N06-VB TO<b class='flag-s-7'>262</b> 品牌：微碧

### 产品简介**82N06-VB**是一款单N沟道MOSFET，采用TO262封装，具有优秀的导通特性和高电流承受能力。采用了Trench技术，适用于需要高效能和可靠性的电子应用。### 详细

2024-11-21 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：80N04-VB TO<b class='flag-s-7'>262</b> 品牌：微碧

### 产品简介**80N04-VB**是一款单N沟道MOSFET，采用TO262封装，属于VBsemi的产品线。它采用了Trench技术，具有低导通电阻和高电流承受能力，适用于要求高效能和高可靠性

2024-11-21 14:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：70N10F4-VB TO<b class='flag-s-7'>262</b> 品牌：微碧

### 产品简介：MOSFET型号：70N10F4-VB  封装：TO262  配置：单N沟道  耐压（VDS）：100V  栅极-源极电压（VGS

2024-11-19 11:56 微碧半导体VBsemi 企业号