AT25512N-SH-T:高效存储解决方案在当今电子产品日益复杂的环境中,可靠和高效的数据存储解决方案显得尤为重要。Microchip(美国微芯)推出的AT25512N-SH-T是一款高性能
2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 一、AM6922NH-T1-PF-VB 产品简介AM6922NH-T1-PF-VB 是一款共源N+N沟道MOSFET,采用TSSOP8封装,设计用于高性能电源管理和开关应用。该器件利用先进
2024-12-02 14:10 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AM6920NH-T1-PF-VB** 是一款采用 TSSOP8 封装的共栅 N+N 通道 MOSFET 器件。它具有低电阻和高电流承载能力,适用于需要高效能和稳定性能的电源管理
2024-12-02 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 20N50L-T3P-T-VB 产品简介20N50L-T3P-T-VB 是一款高压高功率单 N-沟道 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装形式为 TO247。具有较低的导
2024-07-09 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、20N50G-T3P-T-VB 产品简介20N50G-T3P-T-VB 是一款单N沟道MOSFET,封装形式为TO3P,采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高压(600V)和高电流
2024-07-09 15:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**型号:22N60L-T3P-T-VB**VBsemi的22N60L-T3P-T-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术。该器件具有高耐压、低
2024-07-10 10:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:9N90L-T47-T-VB**9N90L-T47-T-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有高达900V的漏源电压额定值,适合
2024-11-27 11:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**型号:20N60L-T3P-T-VB**VBsemi的20N60L-T3P-T-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术。该器件具有高耐压、低
2024-07-09 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号