本文首先介绍了GTX650和GTX650ti两者之间的区别，其次介绍了GTX650基本信息参数，最后介绍了GTX 650Ti规格参数与特点。
2018-05-14 14:08
日前，国外媒体TheVerge拿到了Lumia 920真机，并体验了其拍照功能，为我们带来了多张照片的对比，让你对各款手机的拍摄效果一目了然。
2012-09-10 10:55
本文首先详细阐述了如何gtx650ti驱动版本，其次介绍了gtx650ti外形及功耗温度，最后介绍了gtx650ti硬件参数。
2018-05-14 16:10
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT
2022-08-01 10:11
C650中型卧式车床，可加工最大工件直径为1020mm，最大工件长度为3000mm。如下图所示为C650通常车床继电触摸器操控电路，下表为电路电气元件的称谓及用处。C650中型卧式车床的主轴电动机功率为30kW，主
2020-09-09 10:41
IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势，在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31
650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告，电动汽车充电市场的增长将非常强劲，高达59%。
2022-08-02 15:06
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET，并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26
新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。
2024-08-15 16:34
