• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • 精通MATLAB(MATLAB應用)

    精通MATLAB(MATLAB應用) 本書針對中高級MATLAB用戶,系統詳盡地MATLAB最新軟件和工具箱的高級功能和應用技巧,通過大量的實例循序漸進地將作者

    2008-07-04 16:50

  • DDR3記憶體

    ,在電源打開後第0.5秒鐘顯示.過流保護: 系統即時監控記憶體電流,爲記憶體條,記憶體晶片, 系統提供過流保護.

    2009-08-17 23:02

  • SOI

    所谓SOI(Silicon-On-Insulator),就是在绝缘体上涂上一层很薄的硅。我们知道,硅是一种半导体,电子在晶体管中流动时难免会有电子流失,所以在硅中插入一层绝缘体就可以有效地阻止电子的流失,这种绝缘体材料和硅自然是越接近越好,所以二氧化硅就成为理想的选择。在工作时硅片中的晶体管和硅接触的区域会聚集大量的电荷,这样会导致电子传输效率降低,当在硅层中插入二氧化硅时,晶体管和二氧化硅接触的区域不再有电荷出现,使电子的利用率得到提高,整个芯片的工作效率也随之提高。soi在在器件性能上具有以下优点:1) 减小了寄生电容,提高了运行速度。与体硅材料相比,SOI 器件的运行速度提高了20-35%;2) 具有更低的功耗。由于减少了寄生电容,降低了漏电,SOI 器件功耗可减小35-70%;3) 消除了闩锁效应;4) 抑制了衬底的脉冲电流干扰,减少了软错误的发生;5) 与现有硅工艺兼容,可减少 13-20%的工序。SOI 在高性能超大规模集成电路、高速存贮设备、低功耗电路、高温传感器、军用抗辐照器件、移动通讯系统、光电子集成器件以及MEMS(微机电)等领域具有极其广阔的应用前景,被国际上公认为“21 世纪的硅集成电路技术。”來源: www.soi-china.com

    2011-07-06 14:09

  • RE問題?

    RE問題,如圖:2.3G 左右是板子發射頻譜,4.6G應該是諧,允許超標嗎?

    2016-06-29 12:20

  • 電子構裝型態

    電子構裝型態 半導體產品的I/O數目也會影響機台的可適用性,所有的IC構裝型態可以區分為兩大類,一為引腳插入型,另一為表面

    2008-10-27 15:48

  • LTE-CA载波聚合测试技术介绍

      为了满足单用户峰值速率和系统容量提升的要求,一种最直接的办法就是增加系统传输带宽。于是富有远见的工程师们将目光放在了载波聚合技术上,LTE-Advanced系统引入一项增加传输带宽的技术,也就是载波聚合

    2017-09-18 09:45

  • Live mos

    Live mos 分享!

    2015-06-17 18:36

  • LCD詳細

    2012-05-30 21:43

  • ICT點LAYOUT注意事項:

    ICT 點 LAYOUT 注意事項:pcb layout规则 PCB 的

    2008-07-18 12:38

  • 【LinkIt 7687试用体验】開箱

    裡面了,可以不用額外下\4.1.0\tools\debugger\mk20\firmware\mt76x75. 照著步驟燒寫好MDK Firmware以後,可以馬上來進行範例,第一個

    2017-01-08 15:53