应用设计的高边和低边栅极驱动集成电路，驱动高压、高速MOSFET 而设计。《高压
2024-11-11 17:21
高压栅极驱动器在确保电动汽车的电力流动可靠控制方面至关重要。从控制逆变器的IGBT或MOSFET的开关到监测和管理电池的充电状态、健康状况和热条件，高压
2024-08-29 11:45 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
引言：对于中压或高压的电源系统，对MOS组的要求特别高，DrMOS已经不能满足设计参数要求，此时将DrMOS再次分拆开来，将驱动部分独立成为栅极驱动器。
2023-11-10 16:00
如果特定功率器件需要正极和负栅极驱动，电路设计人员无需寻找专门处理双极性操作的特殊栅极驱动器。使用这个简单的技巧使单极性栅极
2023-02-16 11:04
瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，为IGBT提供适当栅极信号的栅极驱动器具有提供短路保护的功能并影响开关速度。然而，在选择
2022-12-22 11:09
LTC®7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，采用高达 135V 的输入电压工作。该器件包含一个负责全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开
2018-07-11 15:38
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件，用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和漏极，对于IGBT，它们被称为集电极
2023-01-30 17:17
电隔离式（GI）栅极驱动器在优化碳化硅（SiC）MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色，特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力在工业、交通和消费产品中依赖性的加深，SiC技术凭借其
2024-11-11 17:12
MASTERGAN4 是一种先进的功率系统级封装，在半桥配置中集成了玛瑙驱动器和两个增强型 GaN 功率晶体管。集成功率 GaN 具有 650 V 漏源阻断电压和 225 mΩ RDS（ON），而嵌入式栅极驱动器的
2021-06-12 09:24
ST公司的STGAP2SCM是电流隔离1700V单个栅极驱动器，能隔离栅极驱动通路与低压控制电路和接口电路。驱动电流4
2019-08-04 11:06
