半導體放電管是基於晶閘管原理和結構的一種兩端負阻器件。可以吸收突波，抑制過高電壓，達到保護易損組件的目的。該 器件是在矽單晶片兩面同時摻雜同種雜質而形成。簡單的結構如圖
2014-03-13 10:32
TDK磁芯規格----完整版
2012-04-07 18:43
二极管的管压降0.5v左右，同样也应该可以测得到电阻一般为几千欧以内。1.2 如何判断MOS管是N型还是P
2021-12-31 06:20
互聯化辦公的引導下，加之軟硬件廠商不斷向商業應用傾斜，平板電腦必將在商用市場給傳統PC帶來不小的競爭壓力。IDC預計，2016年商用平板出貨量同比下降2.8%，低于整體9.2%的降幅。而到 2017年
2015-12-28 16:18
的抑制，尤其值得注意的是TVS管的穩態平均功率是否在安全範圍之內。降額使用 作為半導體器件的TVS管，要注意環境溫度升高時的降額使用問題。特別要注意TVS管的引線長短，
2013-12-03 13:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏
2012-07-06 16:30
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏
2012-07-05 11:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏
2012-07-06 16:34
可见，这种场效应管由金属、氧化物和半导体组成。从下图可见，N+型漏区和N+型
2015-06-12 09:24
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏
2012-07-04 17:48
