### 4854NG-VB MOSFET产品简介4854NG-VB是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用TO252封装。它具有极低的导通电阻、高漏极电
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有低
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有较低的
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
合。### 5805NG-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO252- **器件配置**:单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**:40V- **栅极-源极
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术,封装为TO2
2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4809NG-VB MOSFET产品简介4809NG-VB是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用TO252封装。它具有低导通电阻、高漏极电流承
2024-11-11 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号
高功率和高效率的电源管理和功率转换应用。### 4913NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源
2024-11-12 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4865NG-VB 产品简介4865NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中,具有优异的功率开关特性和低导通电阻。采用先进的沟槽(Trench
2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
说明- **型号:5865NG-VB**- **封装类型:TO252**- **配置:单N沟道**- **漏源电压 (VDS):60V**- **栅源电压 (VGS):±20V**- **
2024-11-14 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4905NG-VB 产品简介4905NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它专为需要高功率处理和低导通电阻的应用而设计。通过沟槽(Trench)技术制造
2024-11-12 13:51 微碧半导体VBsemi 企业号