LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 /
2019-05-14 09:23
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小
2016-10-10 10:58
LT1158上单个输入引脚的典型应用同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET
2019-05-28 09:02
TDK磁芯規格----完整版
2012-04-07 18:43
阻、瞬態電壓抑製器、靜電抑製器和放電管等。過壓保護器件選型應注意以下四個要點：1)關斷電壓Vrwm的選擇。一般關斷電壓至少要比線路最高工作電壓高10%2)箝位電壓VC的選擇。VC是指在
2019-07-17 16:53
HDMI和USB3.0端口的ESD靜電防護：TVS陣列
2016-07-26 16:45
电流值。AON6590(40V，0.99mΩ)电流连续漏极电流ID脉冲漏极电流IDM连续漏极电流IDSM雪崩电流IAS 1 连续漏极电流ID连续
2016-08-15 14:31
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道
2019-05-10 06:46
）的地連接，將靜電從地導走。這樣處理的方法除了可以防止靜電，還能有效抑制EMI的干擾。如果有足夠的空間，還可以用一個金屬遮罩罩將其中的電路保護起來，金屬遮罩罩再連接PCB的GND。總之，ESD設計殼體上需要
2015-08-06 02:49
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2020-5-6 08:47 编辑 该功率MOSFET使用Truesemi的先进平面条纹DMOS技术生产。 这项先进技术经过特别设计，可最大程度地降低
2020-04-30 15:13
