将空穴从p+源极和漏极区域吸引到沟道区域。耗尽模式 P 通道P 通道增强模式加工就结构而言，p 沟道耗尽型 MOSFET
2023-02-02 16:26
器件。一旦在MOSFET的栅极端施加电压，源极沟道的漏极电阻将变得更大。当栅源电压增加更多时，从漏极到源极的电流将减少，直到电流从漏极到源极的流动停止。耗尽
2022-09-13 08:00
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 /
2019-05-14 09:23
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小
2016-10-10 10:58
<br/> 功率MOSFET与双极型功率相比具有如下特点：&
2010-08-12 13:58
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2019-11-17 08:00
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2010-08-17 09:21
LT1158上单个输入引脚的典型应用同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET
2019-05-28 09:02
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2019-11-17 08:00
TDK磁芯規格----完整版
2012-04-07 18:43
