MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的
2023-04-13 09:40
漏感是电机初次级在耦合的过程中漏掉的那一部份磁通变压器的漏感应该是线圈所产生的磁力线不能都通过次级线圈，因此产生漏磁的电感称为漏感。
2017-10-30 14:58
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型
2022-09-13 14:38
功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道
2024-10-30 15:24
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？
2023-12-03 09:30
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得
2024-02-23 09:38
市面的PLC品牌众多，既有西门子、三菱等在市场占有率居高不下的大品牌PLC，也有两百多种小众型PLC。但是不管哪种PLC，它们的数字量输入模块有两种不同的接线方式：源型输入方式和漏
2019-07-20 11:18
市面的PLC品牌众多，既有西门子、三菱等在市场占有率居高不下的大品牌PLC，也有两百多种小众型PLC。但是不管哪种PLC，它们的数字量输入模块有两种不同的接线方式：源型输入方式和漏
2023-07-24 16:04
通过以下几个方面来解释： 1. MOSFET的基本结构和工作原理 MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）和衬底（Substrate）。在
2024-09-18 09:52
与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高器件的速度。同时源漏离子注入也会形成n
2024-11-09 10:04
