 
                                                                                                
                                                                    和电路设计。### 2. 详细的参数说明:- **型号:** AOB416-VB- **封装:** TO263- **配置:** 单 N-沟道- **耐压(VDS
2024-12-05 15:24 微碧半导体VBsemi 企业号
 
                                                                                                
                                                                    ### 2SK416-S-VB MOSFET 产品简介2SK416-S-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,适用于低中压应用。采用了 Trench 技术,具有较低的导通电
2024-11-01 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
 
                                                                                                
                                                                    **K416STL-VB MOSFET产品简介**K416STL-VB是一款高性能的单通道N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为中低压应用设计。该器件的最大漏源电压(VDS)为60V,最大栅源
2025-10-09 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
 
                                                                                                
                                                                    ### 一、产品简介**2SK416S-VB MOSFET**2SK416S-VB 是一款高性能 MOSFET,采用 TO252 封装。这款 MOSFET 配置为单 N 通道,具有60V 的耐压能力
2024-11-01 15:49 微碧半导体VBsemi 企业号
 
                                                                                                
                                                                    ### 产品简介**2SK416STL-VB**是一款由VBsemi推出的高性能N沟道MOSFET。该器件采用TO252封装,适用于中压应用场合。具有较高的漏极-源极电压承受能力和稳定的性能,在一些
2024-11-01 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号
 
                                                                                                
                                                                    ### 一、K416-S-VB MOSFET 产品简介K416-S-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装设计,具有良好的散热性能和电气绝缘特性。该 MOSFET
2025-10-09 16:27 微碧半导体VBsemi 企业号
 
                                                                                                
                                                                    ### 一、产品简介K416S-VB 是一款采用 TO252 封装的单N沟道MOSFET,专为中高电流应用设计。该MOSFET 的漏源极电压 (VDS) 达到 60V,栅极电压范围为 ±20V,开启
2025-10-09 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
 
                                                                                                
                                                                    ### 产品简介**B416L-VB** 是一款采用 TO263 封装的单级 N 沟道 MOSFET。该器件使用沟槽工艺,具备极低的导通电阻和高电流处理能力,适合用于高功率和高效率的电子应用场
2025-01-07 14:57 微碧半导体VBsemi 企业号
 
                                                                                                
                                                                    HMC416LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO,集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构,VCO的相位噪声性能在温度
2023-02-10 10:50 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号