和电路设计。### 2. 详细的参数说明:- **型号:** AOB416-VB- **封装:** TO263- **配置:** 单 N-沟道- **耐压(VDS
2024-12-05 15:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 2SK416-S-VB MOSFET 产品简介2SK416-S-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,适用于低中压应用。采用了 Trench 技术,具有较低的导通电
2024-11-01 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**2SK416S-VB MOSFET**2SK416S-VB 是一款高性能 MOSFET,采用 TO252 封装。这款 MOSFET 配置为单 N 通道,具有60V 的耐压能力
2024-11-01 15:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**2SK416STL-VB**是一款由VBsemi推出的高性能N沟道MOSFET。该器件采用TO252封装,适用于中压应用场合。具有较高的漏极-源极电压承受能力和稳定的性能,在一些
2024-11-01 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**AOB416L-VB** 是一款单通道 N-沟道 MOSFET,采用 TO263 封装。它采用先进的沟槽技术(Trench Technology),具有低导通电阻和高电流承载
2024-12-05 15:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**B416L-VB** 是一款采用 TO263 封装的单级 N 沟道 MOSFET。该器件使用沟槽工艺,具备极低的导通电阻和高电流处理能力,适合用于高功率和高效率的电子应用场
2025-01-07 14:57 微碧半导体VBsemi 企业号
HMC416LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO,集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构,VCO的相位噪声性能在温度
2023-02-10 10:50 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
技术,可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。 LS8917G 内置环路补偿电路,无需外围补偿电路,系统具有良好的稳定性。LS8917G可以实现良好的恒压、恒
2025-07-02 16:54 深圳市粤华信科技有限公司 企业号