本文介绍了LMG1020主要特性，框图和典型应用电路图以及高压评估板LMG1020-HB-EVM主要特性，框图，电路图，材料清单和PCB设计图。
2019-04-05 11:02
驱动器可为要求速度的应用提供高效率、高性能的设计，适用于LiDAR、飞行时间激光贸泽电子供应的Texas Instruments LMG1020低侧GAN驱动器，专为高速驱动GaN FET和逻辑电平
2018-11-03 10:47
LMG1020 器件是一款单通道低侧驱动器，设计用于在高速应用中驱动 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET，包括 LiDAR、飞行时间、面部识别以及任何涉及低侧驱动器的电源转换器。LMG1020
2025-05-19 09:47
Texas Instruments LMG3614 650V 170mΩ GaN功率FET设计用于开关模式电源应用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封装中集成了GaN
2025-07-04 15:50
TI LMG1210是一款50 MHz半桥驱动器，经过特别设计，能与电压高达200V的增强模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 15:47
LMG3100 器件是一款具有集成驱动器的 100V 连续 120V 脉冲氮化镓 （GaN） FET。该器件提供两种 Rds（on） 和最大电流版本，LMG3100R017 为 126A/1.7m
2025-02-21 11:19
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。该 LMG3616 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x
2025-02-24 10:43
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。该LMG3614通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.
2025-02-21 14:37
LMG3100 器件是一款具有集成驱动器的 100V 连续 120V 脉冲氮化镓 （GaN） FET。该器件提供两种 Rds（on） 和最大电流版本，LMG3100R017 为 126A/1.7m
2025-02-21 15:16
LMG2100 评估模块 (EVM) 是一款紧凑、易用的功率级，可配置为使用半桥设计的降压转换器、升压转换器或其他转换器拓扑。此 EVM 具有一个 LMG2100 半桥电源模块和两个 100V 4.4mΩ GaN FET
2025-02-21 09:33
