HMAA2GU7CJR8N-XN和MTA9ASF2G72AZ-3G2F1是两款高性能的16GB 1Rx8 PC4-25600E DDR4-3200MHz UDIMM内存条,专为需要高可靠性和高性能
2025-02-14 06:58 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
一:简介TAG7000无线高压卫星GPS授时远程核相仪又名无线高压卫星授时远程核相器,由X接收器、Y接收器、X探测器、Y探测器、伸缩绝缘杆等组成,可以对环网柜、中置柜、开关柜进行核
2022-07-13 10:10 武汉华顶电力设备有限公司 企业号
HMA81GU7DJR8N-XN、HMA81GU7DJR8N-XNT0以及MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是三款高性能的8GB DDR4-3200MHz PC4-25600 ECC
2025-02-14 06:57 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
如需了解价格货期等具体信息,欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言,留言会被吞,收不到留言。 HMA81GU7DJR8N-XNT0 产品概述 HMA81GU7DJR8N
2025-02-10 20:14 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
**型号:** NTD24N06LG-VB **丝印:** VBE1638 **品牌:** VBsemi **产品简介:**  
2024-06-12 13:44 微碧半导体VBsemi 企业号
LTC7000A/LTC7000A-1是一款快速高端N通道MOSFET栅极驱动器,采用高达135V的输入电压工作。它包含一个内部电荷泵,可全面增强外部N通道MOSFET
2023-04-19 17:38 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
型号:NTD18N06LG-VB品牌:VBsemi丝印:VBE1638参数说明:- 沟道类型:N-Channel- 最大工作电压:60V- 最大电流:45A- 开态电阻:24mΩ @ VGS
2024-06-18 13:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介6828LG-VB 是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),采用Trench技术制造,具有高电压耐受能力和低导通电阻特性,适合高性能功率开关应用。### 2. 详细参数
2024-11-18 15:01 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介2170LG-VB 是 VBsemi 生产的一款单N沟道MOSFET,封装为TO252,适用于低压、中功率的电源开关和电机驱动等应用。采用沟槽技术(Trench),具有低导通电
2024-07-09 17:06 微碧半导体VBsemi 企业号