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型号：<b class='flag-s-7'>20N3LG</b>-VB TO251 品牌：微碧

**产品型号：** 20N3LG-TO251-VB**丝印：** VBFB1311**品牌：** VBsemi**参数：**- 封装：TO251- 沟道类型：N-Channel- 额定电压：30V

2024-02-19 14:53 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NTD<b class='flag-s-7'>20N06LG</b>-VB 品牌：微碧

**NTD20N06LG-VB**是VBsemi品牌的N-Channel场效应管。丝印标识为VBE1638，封装为TO252。该器件具有以下主要参数：- **漏极-源极电压（VDS）：** 60V

2024-06-12 13:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5863<b class='flag-s-7'>LG</b>-VB 品牌：微碧

### 5863LG-VB TO252 MOSFET 产品简介5863LG-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。该器件具有60V的漏极-源极电压（VDS），栅极电压（VGS）为

2024-11-14 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：FSU01<b class='flag-s-7'>LG</b> 品牌：

FSU01LG型号简介Sumitomo的FSU01LG是一种高性能、低噪声的GaAs FET，设计用于PCS/PCN应用程序作为2GHz频带的驱动器。Eudyna严格的质量保证计划确保最高

2023-12-09 19:41 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>20N3LG</b>-VB TO251 品牌：微碧

### 20N3LG-VB 产品简介**20N3LG-VB** 是一款单极性 N-Channel MOSFET，采用 TO251 封装，具有高效的电流传输和低导通电阻。它采用了先进的沟槽

2024-07-09 15:28 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：FHX13<b class='flag-s-7'>LG</b> 品牌：

FHX13LG型号简介Sumitomo的FHX13LG、FHX14LG是一种超高电子迁移率晶体管（SuperHEMT TM）适用于2至18GHz的通用超低噪声和高增益放大器频率范围。这些器件采用成本

2023-12-04 23:11 立年电子科技 企业号

型号：FSU01<b class='flag-s-7'>LG</b> 品牌：

电压为 3 至 6 V，电压 - 漏源 (Vdss) 为 3 至 6 V。 FSU01LG 的详细信息如下所示。产品规格产品详情零件号FSU01LG制造商住友电工

2022-09-09 11:36 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：FSU02<b class='flag-s-7'>LG</b> 品牌：

FSU02LG 型号简介Sumitomo的FSU02LG是一种高性能、低噪声的GaAs FET，设计用于PCS/PCN应用程序作为2GHz频带的驱动器。Eudyna严格的质量保证计划确保

2023-12-09 17:26 立年电子科技 企业号

型号：32NN06<b class='flag-s-7'>LG</b>-VB 品牌：微碧

沟道功率场效应管，专为承受负载电压高达60V和最大电流45A的工作环境而设计。该器件在10V和20V的门源极电压下具有导通电阻为24mΩ的特性。其门极阈值电压（Vt

2024-05-21 14:47 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：FHX14<b class='flag-s-7'>LG</b> 品牌：

FHX14LG型号简介Sumitomo的FHX13LG、FHX14LG是一种超高电子迁移率晶体管（SuperHEMT TM）适用于2至18GHz的通用超低噪声和高增益放大器频率范围。这些器件采用成本

2023-12-04 23:05 立年电子科技 企业号