`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET
2019-07-09 17:30
型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N
2021-03-08 16:42
，从而在不改变封装体积的情况下提高输出功率。另一个普遍的希望是，能够最终避免采用插件封装的器件（比如TO220、TO247）。阻断电压为40V和60V的最新一代英飞凌MOSFET，如今可满足设计工
2018-12-06 09:46
(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET
2022-11-16 07:06
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率
2019-05-10 06:46
的非常宽的结温和存储温度范围.特征：•沟槽型Power MV MOSFET技术-60V•低RDS(ON)•低 GATE CHARGE•针对快速切换应用程序进行优化•VDS：-60V•ID (at VGS
2019-03-13 10:54
三相电机驱动中的一相，电压是60V，其中 C4B 和 R5B 是吸收尖峰电压吗? 要如何选择型号呢 ？
2018-09-10 17:30
栅极电压低于10V时，二极管电压钳位于各种漏极电流水平。在非线性曲线中见到的弯曲是二极管和欧姆区之间的转变点。图6：施加栅极电压时，N
2018-03-03 13:58
与DCDC60V降压12V/0.6A稳压芯片类似，也是一种电源管理芯片。它可以将输入的60V直流电压降低到5V，并输出0.6A的电流。这种芯片通常采用开关电源技术，具有
2023-11-21 15:30
