了适用于头灯控制开关等车载小型设备的N沟道30V MOSFET器件——SSM6K809R，该器件通过东芝新型工艺技术设计
2022-08-26 11:01
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiS
2024-03-12 10:38
恩智浦发布业界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC 中国上海，2010年12月6日讯--恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V
2010-12-19 10:36
安森美推出带集成肖特基二极管的30V 扩充N沟道功率MOSFET 安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N
2010-04-12 10:23
带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET(ON) 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充
2010-04-10 10:32
描述 NP30P03D6采用先进的沟槽技术 提供优良的RDS(ON)，本设备适合使用 作为负载开关或PWM应用。 一般特征 VDS = -30v, id = -30a RDS(上)(Typ
2022-07-19 09:28
谈及驱动效率更高的解决方案，汽车动力总成应用显然是主要焦点之一。功率密度、热性能和空间一直都是需要改进的关键领域。适用于在30~300 W范围内对热设计有要求的系统（包括水、油和燃油泵），Nexperia新推出的LFPAK33封装40
2023-02-09 09:53
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET
2023-11-09 17:39
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N
2023-11-08 16:22
