MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子
2018-03-09 14:28
每个 MOSFET 数据手册都包含一个 SOA 图，该图描述了 MOSFET 暴露于特定电压和电流的最长时间。图1显示了恩智浦半导体数据手册中PSMN1R5-30BLE
2023-01-04 15:08
针对空间非常紧凑的功率MOSFET应用而言，3x3封装是理想的尺寸。因此，在Nexperia的MOSFET产品序列中，采用了非常可靠的高性能LFPAK33封装。Nexp
2023-02-08 09:18
本应用笔记解释了如何将RS-232收发器和几个外部元件组合在一起，以产生高达±30V的电源轨。设计中采用MAX202收发器。
2023-02-14 10:23
FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为
2023-04-13 09:40
产品型号 KR100E/KR100M工作电压 6V—12V工作电流 ≤100mA感应时间 ≤0.2S工作温度 -10度-+70度工作湿度 10%-90%防水等级 IP6
2019-12-13 08:39
产品型号 KR200E/KR200M工作电压 6V—12V工作电流 ≤100mA感应时间 ≤0.2S工作温度 -10度-+70度工作湿度 10%-90%防水等级 IP6
2019-12-11 14:20
产品型号 KR201E/KR201M工作电压 6V—12V工作电流 ≤100mA感应时间 ≤0.2S工作温度 -10度-+70度工作湿度 10%-90%防水等级 IP6
2019-12-11 14:22
产品型号 KR101E/KR101M工作电压 6V—12V工作电流 ≤100mA感应时间 ≤0.2S工作温度 -10度-+70度工作湿度 10%-90%防水等级 IP6
2019-12-13 08:38
