本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 09:43 编辑 针对快充应用设计需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN
2018-06-15 17:28
我有一个30V，10mA的电源，需要反转极性，时间需要用PIC来控制。我看了一些H桥，但是我看到MOSFET的高Gs电压差因为30V的问题。使用晶体管看起来更好。我看了一些马达驱动器，但不
2019-03-21 10:00
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8脚贴片封装，实为一只复合MOSFET，内含一只P沟道和N沟道场效应管，
2021-04-06 06:53
、隔离变压器和整流电路，即可实现 6~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率1~2W 的隔离电源。VPS8701B 内部集成两个 N 沟道功率
2023-03-21 15:24
栅极电压低于10V时，二极管电压钳位于各种漏极电流水平。在非线性曲线中见到的弯曲是二极管和欧姆区之间的转变点。图6：施加栅极电压时，N
2018-03-03 13:58
;<p align="left">这款FDN359AN是N沟道逻辑电平
2010-04-15 09:51
，另一个与积极联系起来？增强型（“常关”） 当栅极上相对于源极有足够高的正电压（逻辑电平 MOSFET 通常为 3 至 5 伏）时，N
2023-02-02 16:26
，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施
2021-04-09 09:20
RFID专用芯片R2000 用户闪存16KB 标签缓存200个标签 最大标签识读率大于750标签/秒；使用高性能设置 标签识读距离大于30feet(9M)采用6
2016-06-12 13:40
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21
