，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Sem
2019-07-31 07:30
的器件特性方面，如增益、线性度、开关性能、散热性能以及减少级数等方面优势很明显。 LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。LDMOS是一种双扩散结构的功率器件
2020-05-24 01:19
与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的
2020-04-07 09:00
晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。
2019-06-26 07:33
什么是LDMOS？LDMOS有哪些有优良性能？什么是VDMOS？VDMOS具有哪些特征？
2021-06-18 06:56
GaN为5G sub-6GHz大规模MIMO基站应用提供的优势LDMOS的优势是什么如何选择正确的晶体管技术
2021-03-09 07:52
DOC参数详解
2009-03-05 15:48
的应用。LDMOS是功率IC常用的片上静电自防护器件，其内部存在静电泄放电流非均匀分布的问题。我司开发采用的BSDOT结构，通过TCAD仿真和流片测试验证，有效将原始LDMOS
2016-04-06 09:24
的应用。LDMOS是功率IC常用的片上静电自防护器件，其内部存在静电泄放电流非均匀分布的问题。我司开发采用的BSDOT结构，通过TCAD仿真和流片测试验证，有效将原始LDMOS
2016-03-12 14:12
石英晶振主要参数详解
2012-09-14 19:36
